Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах
Вантажиться...
Дата
2021
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
(uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами.
(en) From experimental studies of current-voltage, capacitance-voltage characteristics and differential resistance as a function of temperature the transport of charge carriers in diffused InSb and InAs photodiodes is satisfactorily explained within the framework of the inhomogeneous p-n-junction. It is shown that the most probable cause of excess dark current and low-frequency 1/f noise is tunnel current through inhomogeneous parts of the p-n-junction caused by extended defects such as dislocations and precipitates. A model of 1/f noise is proposed, according to which the noise current at low temperatures arises due to fluctuations of tunnel exchange of carriers between dislocation and band states.
(en) From experimental studies of current-voltage, capacitance-voltage characteristics and differential resistance as a function of temperature the transport of charge carriers in diffused InSb and InAs photodiodes is satisfactorily explained within the framework of the inhomogeneous p-n-junction. It is shown that the most probable cause of excess dark current and low-frequency 1/f noise is tunnel current through inhomogeneous parts of the p-n-junction caused by extended defects such as dislocations and precipitates. A model of 1/f noise is proposed, according to which the noise current at low temperatures arises due to fluctuations of tunnel exchange of carriers between dislocation and band states.
Опис
Ключові слова
інфрачервоний фотодіод, InSb, InAs, низькочастотний шум, infrared photodiode, InSb, InAs, low frequency noise
Бібліографічний опис
Ткачук А. І. Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах / А. І. Ткачук , В. В. Тетьоркін , А. В. Сукач // Труди ХХІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні інформаційні та електронні технології" (СІЕТ-2021). - Одеса: ПП "Політехперіодика", 2021. С. 78-79.