Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТкачук, Андрій Іванович
dc.contributor.authorТетьоркін, Володимир Володимирович
dc.contributor.authorСукач, Андрій Васильович
dc.contributor.authorTkachuk, Andrij Ivanovych
dc.contributor.authorTetyorkin, Volodymyr Volodymyrovych
dc.contributor.authorSukach, Andrij Vasylyovych
dc.date.accessioned2022-06-20T11:26:26Z
dc.date.available2022-06-20T11:26:26Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstract(uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами.uk_UA
dc.description.abstract(en) From experimental studies of current-voltage, capacitance-voltage characteristics and differential resistance as a function of temperature the transport of charge carriers in diffused InSb and InAs photodiodes is satisfactorily explained within the framework of the inhomogeneous p-n-junction. It is shown that the most probable cause of excess dark current and low-frequency 1/f noise is tunnel current through inhomogeneous parts of the p-n-junction caused by extended defects such as dislocations and precipitates. A model of 1/f noise is proposed, according to which the noise current at low temperatures arises due to fluctuations of tunnel exchange of carriers between dislocation and band states.uk_UA
dc.identifier.citationТкачук А. І. Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах / А. І. Ткачук , В. В. Тетьоркін , А. В. Сукач // Труди ХХІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні інформаційні та електронні технології" (СІЕТ-2021). - Одеса: ПП "Політехперіодика", 2021. С. 78-79.uk_UA
dc.identifier.urihttps://dspace.cusu.edu.ua/handle/123456789/4166
dc.language.isoukuk_UA
dc.subjectінфрачервоний фотодіодuk_UA
dc.subjectInSbuk_UA
dc.subjectInAsuk_UA
dc.subjectнизькочастотний шумuk_UA
dc.subjectinfrared photodiodeuk_UA
dc.subjectInSbuk_UA
dc.subjectInAsuk_UA
dc.subjectlow frequency noiseuk_UA
dc.titleТемновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодахuk_UA
dc.title.alternativeDark current and low-frequency noise in InAs and InSb photodiodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах.pdf
Розмір:
1009.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.12 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф-ри технологічної та професійної освіти