Кафедра технологічної та професійної освіти
Постійне посилання на фондhttps://dspace.cusu.edu.ua/handle/123456789/59
Переглянути
2 результатів
Результати пошуку
Документ Dark Current and Noise in Diffused and Epitaxial InAs Photodiodes(2021) Tkachuk, A.; Tetyorkin, V.; Sukach, A.; Ткачук, Андрій Іванович(en) A comparative analysis of the mechanisms of dark current and noise in InAs homo- and heterojunction photodiodes is carried out. It is shown that an excess current of a tunneling nature is the cause of the low-frequency 1/f noise at low temperatures. At high temperatures, the main source of noise is the generation-recombination current in the depleted area. Theoretical models of noise in infrared photodiodes are analyzed as applied to the experimental results obtained in this work.Документ Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах(2021) Ткачук, Андрій Іванович; Тетьоркін, Володимир Володимирович; Сукач, Андрій Васильович; Tkachuk, A.; Tetyorkin, V.; Sukach, A.(uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами.