Thermal wave microscopy – a unique tool for non-destroying level-by-level diagnostics of semiconductor structures

Abstract

(UA) Пропонується спрощена теорія генерації фототермоакустичного сигналу, а також аналіз його залежності від оптичних, теплових і геометричних властивостей зразка. Обговорюються експериментальне обладнання та результати ФТА мікроскопії напівпровідникових структур.(EN) The paper presents a simplified theory of photothermоacoustic (PТA) signal generation and its dependence on the sample's optical, thermal and mechanical properties, geometric structure, etc. Both an experimental technique for the investigation and resultsof PТA microscopy of semiconductor structures in a university laboratory are discussed. The unique ability of thermal wave microscopy for non-destroying levelby-level diagnostic of semiconductor microelectronic devices is analysed.