Перегляд за Автор "Сукач, Андрій Васильович"

Або введіть перші символи:
Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Band and Defect States in Amorphous SiCN
    (2021) Tkachuk, Andrij Ivanovych; Sukach, Андрій Васильович; Tetyorkin, Володимир Володимирович; Porada, O.; Kozak, A.; Ivaschenko, V.; Ткачук, Андрій Іванович; Тетьоркін, Володимир Володимирович; Сукач, Андрій Васильович
  • Ескіз
    Документ
    Dislocation-related conductivity in Au(In)/Cd1-xZnxTe Schottky contacts
    (2021) Tkachuk, Andriy; Tetyorkin, Volodymyr; Sukach, Andriy; Ткачук, Андрій Іванович; Тетьоркін, Володимир Володимирович; Сукач, Андрій Васильович
    (en) Dislocation-related conductivity is studied in Schottky contacts Au(In)/Cd1-xZnxTe (x=0, 0.1) prepared on the surface of single crystals modified by multiple irradiation with a ruby laser and mechanical polishing. The contacts were examined by measuring the DC current as a function of the applied bias and temperature as well as the photoelectric response. It is shown that both methods of surface modification result in p-to-n conversion of the conductivity type of the surface layer. The charge transfer in contacts is explained by the formation of dislocation networks buried under the surface. A model of two potential barriers is proposed for the interpretation of the photovoltaic response in contacts. Their existence is associated with compressive strains in the modified surface layer caused by dislocations, which leads to an increase in the band gap and the formation of a heterostructure
  • Ескіз
    Документ
    Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах
    (2021) Ткачук, Андрій Іванович; Тетьоркін, Володимир Володимирович; Сукач, Андрій Васильович; Tkachuk, Andrij Ivanovych; Tetyorkin, Volodymyr Volodymyrovych; Sukach, Andrij Vasylyovych
    (uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами.