Царенко, Олег МиколайовичРіжняк, Ренат Ярославович2023-05-182023-05-182021Царенко О. М. Фундатори зародження та розвитку напівпровідникової галузі / Олег Миколайович Царенко, Ренат Ярославович Ріжняк // Історія науки і біографістика. - 2021. - №4. - С. 276–297. URL: https://doi.org/10.31073/istnauka202104-15https://dspace.cusu.edu.ua/handle/123456789/4554(ua) В статті розкриваються результати просопографічного дослідження історії розвитку вітчизняної напівпровідникової електроніки. Теоретична та технологічна база вітчизняної напівпровідникової електроніки була закладена ще на початку 20-х років ХХ століття дослідженнями О. Г. Гольдмана. Наступні теоретико-практичні розвідки українських вчених проводилися на передових рубежах світових досягнень. Основна мета дослідження полягає у розкритті внеску вітчизняних вчених-фізиків у розвиток науково-технічних досліджень принципів роботи напівпровідникової електроніки. Фундаментальні дослідження з теорії напівпровідників були розпочаті на початку 30-х рр. ХХ ст., коли вийшла перша теоретична робота уродженця м. Єлисаветграда І.Є. Тамма, в якій передбачалося існування на поверхні кристалів особливих електронних станів, названих спочатку поверхневими, а потім «таммівськими». В статті досліджується творча діяльність чотирьох фундаторів напівпровідникової електроніки, життя та наукові розвідки яких була пов’язана з Україною, – Олександра Генріховича Гольдмана, Єлпідифора Анемподистовича Кирилова, Вадима Євгеновича Лашкарьова та Олександра Вікторовича Красилова. О.Г. Гольдман започаткував фізичні досліджень властивостей діелектриків і напівпровідників і відкрив явище фотополяризації діелектриків, дослідив і описав фотоелектричний ефект у напівпровідникових сонячних елементах та явище випрямлення в напівпровідниках, Є.А. Кирилов відкрив та дослідив тонку структуру спектра поглинання фотохімічно пофарбованого галоїдного срібла, В.Є. Лашкарьов, фактично, першим у світі відкрив явище p-n-переходу та зображення першої зонної діаграми p-n-переходу, дослідив ефект з фото-Е.Р.С. у закису міді, відкрив біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму в напівпровідниках, О.В. Красилов створив перший у бувшому СРСР транзистор та перший зразок площинного сплавного германієвого транзистора, заклавши своїми дослідженнями основи технології виробництва мікросхем. Наукові розробки цих вчених та їх колективів заклали надійний фундамент виробництва напівпровідникових електронних приладів та їх застосування споживачами.ukпросопографіявітчизняні фундаторинауково-технічні дослідженняелектроніканапівпровідникидіелектрикиp-n-перехідтранзисторArticle